GD660HTA75P6S - 750V，660A 六單元 IGBT模塊，具有超低傳導損耗和短路耐用性。

型號：GD660HTA75P6S（IGBT模塊）

封裝：P6

額定電流：660A

芯片類型：Trench-FS Gen2

額定電壓：750V

電路結構：Sixpack/六單元

特征：平板基板

GD660HTA75P6S - 等效電路示意圖：

GD660HTA75P6S - 產(chǎn)品特性：

低 VCE(sat) 溝槽式 IGBT 技術

開關損耗低

6μs 短路能力

正溫度系數(shù) VCE(sat)

最高結溫 175℃

低電感外殼

快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD

采用 DBC 技術的隔離銅基板

STARPOWER IGBT 功率模塊具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為混合動力和電動汽車等應用而設計。

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