CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的高性能 8-Mb 非易失性存儲器。與串行閃存不同，CY15x108QSN 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即寫入存儲器陣列。無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有很強的寫入耐用性。CY15x108QSN 能夠支持 1014 次讀寫周期，比 EEPROM 多 1 億次寫入周期。

產(chǎn)品屬性

類別： 存儲器   

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 8Mb  

存儲器組織： 1M x 8  

存儲器接口： SPI - 四 I/O，QPI  

時鐘頻率： 108 MHz   

訪問時間： 6.7 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V 

工作溫度： -40°C ~ 105°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 24-TBGA  

供應(yīng)商器件封裝： 24-FBGA（6x8） 

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