CY15B116QN-40BKXI - 低功耗 16Mb 非易失性鐵電 RAM (F-RAM) 存儲器 IC 

產(chǎn)品概覽

CY15B116QN-40BKXI 是一款低功耗、16Mb 非易失性串行鐵電 RAM (F-RAM) 存儲器，采用先進的鐵電工藝。該存儲器陣列的邏輯組織形式為 1,048,576 × 8 位，可使用行業(yè)標準串行外設(shè)接口 (SPI) 總線進行訪問。F-RAM 的功能操作類似于串行閃存和串行 EEPROM。CY15B116QN 采用高速 SPI 總線，增強了 F-RAM 技術(shù)的高速寫入能力。

產(chǎn)品屬性

存儲器類型 非易失  

存儲器格式 FRAM  

技術(shù) FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量 16Mb  

存儲器組織 2M x 8  

存儲器接口 SPI  

時鐘頻率 40 MHz  

訪問時間 9 ns  

電壓 - 供電 1.8V ~ 3.6V  

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 24-TBGA  

供應(yīng)商器件封裝 24-FBGA（6x8） 

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