CY15V102QN-50LHXI - 2Mb、1.8V、50MHz 串行鐵電 RAM (F-RAM) 存儲器 IC，采用 PG-USON-8 封裝

產(chǎn)品概覽

CY15V102QN-50LHXI 是一款采用先進鐵電工藝的低功耗 2Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

產(chǎn)品屬性

存儲器類型 非易失  

存儲器格式 FRAM  

技術(shù) FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量 2Mb  

存儲器組織 256K x 8  

存儲器接口 SPI  

時鐘頻率 50 MHz  

訪問時間 8 ns  

電壓 - 供電 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 8-WDFN 裸露焊盤  

供應(yīng)商器件封裝 8-DFN（5x6） 

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