DF23MR12W1M1B11BPSA1是一款帶有CoolSiC?溝槽MOSFET和PressFIT/NTC的EasyPACK?模塊。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅(SiC)

配置：2個N溝道（雙）。

漏極至源極電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）。

功率 - 最大：20mW

工作溫度：-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

特點(diǎn)描述

高電流密度

在同類產(chǎn)品中開關(guān)和傳導(dǎo)損耗非常低

低電感設(shè)計(jì)

集成溫度感應(yīng)的NTC溫度傳感器

PressFIT壓接技術(shù)

模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

優(yōu)點(diǎn)

非常高的效率和較低的冷卻要求

更高的運(yùn)行頻率

更高的功率密度

優(yōu)化客戶的開發(fā)周期并降低成本

DF23MR12W1M1B11BPSA1是升壓器 1200 V CoolSiC? MOSFET 模塊。

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