FF2MR12KM1HOSA1 62 mm 1200 V, 2 mΩ半橋模塊，采用CoolSiC? MOSFET芯片。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

配置： 2 個 N 通道（半橋）  

FET 功能： -  

漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：500A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） ：2.13 毫歐 @ 500A，15V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.15V @ 224mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 1340nC @ 15V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 39700pF @ 800V  

功率 - 最大值： -  

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型：底座安裝  

封裝/外殼： 模塊  

供應(yīng)商器件封裝： AG-62MM

潛在應(yīng)用

高開關(guān)頻率的應(yīng)用

直流/直流轉(zhuǎn)換器

太陽能應(yīng)用

UPS系統(tǒng)

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