NP30N06QDK-E1-AY - 60V、30A 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產品概覽

NP30N06QDK-E1-AY 是一款雙 N 溝道 MOS 場效應晶體管，設計用于大電流開關應用。

產品屬性

產品種類: MOSFET  

技術: Si  

安裝風格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: HSON-8  

晶體管極性: N-通道

通道數量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A  

Rds On-漏源導通電阻: 14 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V  

Qg-柵極電荷: 25 nC  

最大工作溫度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 59 W  

通道模式：增強型

產品特性

超低導通電阻 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V，ID = 15 A） RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V，ID = 7.5 A)

低 Ciss： Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V）

專為汽車應用設計，通過 AEC-Q101 認證

小尺寸封裝 8 引腳 HSON 雙通道

應用

高度集成的 100W USB-PD 充電器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：可以通過網站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。