IGT65R035D2 GaN功率晶體管可提高高頻工作效率。作為CoolGaN? 650 V G5系列的一部分，它符合最高質量標準，可實現高度可靠的設計和卓越的效率。
特性
650 V e-mode 功率晶體管
增強型晶體管常閉開關
超快速開關
無反向恢復費用
能夠反向傳導
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向耐用性
ESD (HBM/CDM) JEDEC標準
應用
工業(yè)、電信、數據中心SMPS、基于半橋拓撲的充電器和適配器(用于硬開關和軟開關的半橋拓撲，如圖騰柱PFC、高頻LLC)。
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝。
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IPD90P03P4L-04是一款汽車 MOSFET，提供 30V、P-溝道、最大 4.5 mΩ、DPAK、OptiMOS?-P2，是電池反向保護的理想之選。電話咨詢：86-755-83294757
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