MASTERGAN1TR GaN半橋高壓驅(qū)動器采用高功率密度電源，在半橋配置中集成柵極驅(qū)動器和兩個增強模式GaN晶體管。集成式功率分流器具有150mΩ RDS(ON)和650V漏源擊穿電壓。集成式自舉二極管可以快速為嵌入式柵極驅(qū)動器的高側(cè)供電。

產(chǎn)品屬性

輸出配置：半橋

應(yīng)用：通用

接口：-

負載類型：容性，感性

技術(shù)：DMOS

導(dǎo)通電阻（典型值）：150 毫歐

電流 - 輸出/通道：10A

電流 - 峰值輸出：17A

電壓 - 供電：4.75V ~ 9.5V

電壓 - 負載：600V（最大）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

特性：自舉電路

故障保護：超溫，UVLO

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：31-VQFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：31-QFN（9x9）

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