STG200G65FD8AG是一款采用先進的專有溝槽柵極場截止結構開發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一員，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，正VCE（sat）溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：600 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，200A

開關能量：5.34mJ（導通），6.23mJ（關斷）

輸入類型：標準

柵極電荷：701 nC

25°C 時 Td（開/關）值：66.2ns/442.7ns

測試條件：400V，200A，4.7 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SMD

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