IXBA14N300HV - 高電壓、高增益 BIMOSFET? 單片雙極 MOS 晶體管

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型 NPT  

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 3000 V  

電流 - 集電極 (Ic)（最大值） 38 A  

電流 - 集電極脈沖 (Icm) 120 A  

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值） 2.7V @ 15V，14A  

功率 - 最大值 200 W  

輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)  

柵極電荷 62 nC  

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值 40ns/166ns  

測(cè)試條件 960V，14A，20 歐姆，15V  

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 1.4 μs  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB  

供應(yīng)商器件封裝 TO-263 

產(chǎn)品特性

高電壓封裝

高阻斷電壓

反并聯(lián)二極管

低傳導(dǎo)損耗

優(yōu)勢(shì)

柵極驅(qū)動(dòng)要求低

功率密度高

應(yīng)用

開關(guān)模式和諧振模式電源

不間斷電源 (UPS)

激光發(fā)生器

電容器放電電路

交流開關(guān)

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