SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應(yīng)來提高性能。這些SiC肖特基二極管在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計。GHXS030A120S-D1E是一個1200V 、30A SiC肖特基二極管模塊（SBD整流橋），應(yīng)用包括開關(guān)模式電源、感應(yīng)加熱器、焊接設(shè)備和充電站。

規(guī)格

二極管類型：單相

技術(shù)：碳化硅肖特基

電壓 - 峰值反向（最大值）：1.2 kV

電流 - 平均整流 (Io)：30 A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 30 A

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 μA @ 1200 V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227

基本產(chǎn)品編號：GHXS030

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