SCT015W120G3-4AG碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的創(chuàng)新型第三代 SiC MOSFET 技術(shù)。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS(on)，同時(shí)具有低電容和極高的開(kāi)關(guān)操作，從而提高了應(yīng)用在頻率、能效和系統(tǒng)性能方面的性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：129A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：17.5mOhm @ 60A, 18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 10mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：167 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3512 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：673W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

等級(jí)：汽車(chē)級(jí)

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類(lèi)型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

● 主逆變器（電力牽引）

● 用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

● 車(chē)載充電器 (OBC)

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