NTMFS0D7N04XMT1G 功率 MOSFET，單路，N 溝道，40V，0.7mΩ，323A，SO8-FL 5x6。

最新的 40V 標準柵極級功率 MOSFET 技術(shù)，具有同類最佳導通電阻，適用于電機驅(qū)動器應(yīng)用。更低的導通電阻和更少的柵極電荷可降低傳導損耗和驅(qū)動損耗。良好的體二極管反向恢復軟度控制可降低電壓尖峰應(yīng)力，無需額外的緩沖電路。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：9.18A (Ta), 323A (Tc)  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 0.7 毫歐 @ 50A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.5V @ 180μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 71.6 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4595 pF @ 25 V    

功率耗散（最大值）： 134W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN，5 引線

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