NVTYS9D6P04M8LTWG 是 40V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 P 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 40 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 16A（Ta），71A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 9.6 毫歐 @ 25A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 3V @ 580μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 2368 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 3.9W（Ta），75W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級 汽車級  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 8-LFPAK  

封裝/外殼 SOT-1205，8-LFPAK56 

特性

小尺寸（3.3 x 3.3 mm），適合緊湊型設(shè)計(jì)

低 RDS(on)，將傳導(dǎo)損耗降至最低

低電容，將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低

通過 AEC-Q101 認(rèn)證，符合 PPAP 要求

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