商品名稱：NTTFS5D9N08HTWG
數(shù)據(jù)手冊：
NTTFS5D9N08HTWG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：PQFN-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NTTFS5D9N08HTWG - 80V N 溝道屏蔽柵 PowerTrench? MOSFET 晶體管
產品概述
NTTFS5D9N08HTWG 是采用先進的 PowerTrench? 工藝生產的 N 溝道 MV MOSFET 晶體管，采用了屏蔽柵極技術。該工藝經過優(yōu)化，可最大限度地降低導通電阻，同時保持出色的開關性能。
產品特性
VGS = 10 V、ID = 23 A 時，最大 RDS（導通）= 5.9 m
VGS = 6 V 時，最大 RDS(on) = 9 m，ID = 12 A
實現(xiàn)極低 RDS(on) 的高性能技術
典型應用
直流-直流降壓轉換器
負載點
高效負載開關和低端開關
折邊 FET
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
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LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢：86-755-83294757
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