商品名稱：NVTFWS052P04M8LTAG
數(shù)據手冊：
NVTFWS052P04M8LTAG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：WDFN-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NVTFWS052P04M8LTAG - 40V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管
產品描述
NVTFWS052P04M8LTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管，采用 3.3x3.3 wDFN8 封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。該產品通過了 AEC-Q101 認證，具有 PPAP 能力，適用于需要增強板級可靠性的汽車應用。
產品屬性
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 4.7A（Ta），13.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 69 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 95μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 6.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 424 pF @ 20 V
功率耗散（最大值） 2.9W（Ta），23W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
等級 汽車級
資質 AEC-Q101
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 8-WDFN（3.3x3.3）
封裝/外殼 8-PowerWDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
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AFGH4L25T120RW
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FGY4L75T120SWD
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