PM50RG1A065 是一款650V 高性能模塊，為發(fā)揮IGBT芯片性能而安裝了專用驅(qū)動電路，并且有帶自我保護（短路、控制電源壓降、過熱）等功能的專用集成電路。

特征：

? 采用全柵CSTBTTM芯片。

? 采用檢測CSTBTTM芯片表面溫度的過溫保護。

? IPM各保護上下臂有誤差輸出信號。

? 輸出對應(yīng)于異常狀態(tài)的錯誤信號（錯誤模式識別）

規(guī)格：

產(chǎn)品種類 ：IGBT 模塊

RoHS ： 詳細(xì)信息

產(chǎn)品 ：IGBT 硅模塊

配置 ：7-Pack

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO ：650 V

集電極—射極飽和電壓 ：1.25 V

在25 C的連續(xù)集電極電流 ：50 A

柵極—射極漏泄電流 ：-

Pd-功率耗散 ：240 W

最小工作溫度 ：- 20°C

最大工作溫度 ：+ 125°C

商標(biāo) ：Mitsubishi Electric

安裝風(fēng)格 ：螺絲底座

工廠包裝數(shù)量 ：10

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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