200MHz 集成電路芯片 S26HS512TGABHI000 FLASH NOR存儲器IC 24VBGA

產(chǎn)品介紹

S26HS512TGABHI000是FLASH-NOR存儲器芯片，512Mbit SPI 200MHz，封裝為24-FBGA（6x8）。

產(chǎn)品狀態(tài)：激活

存儲器類型:非易失性

存儲格式:FLASH

技術(shù):FLASH - NOR

存儲器大小:512Mbit

存儲器組織:64M x 8

存儲器接口:SPI

時(shí)鐘頻率:200MHz

電壓 - 電源:1.7V ~ 2V

工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼：24-VBGA

產(chǎn)品特點(diǎn)

保持每個電源墊到其焊球的路徑電阻≤100 mΩ。

保持?jǐn)?shù)據(jù)IO信號的路由在±1 nH以內(nèi)。限制DQ的布線，使其≤5 nH。

保持所有的DQ路由在SCK的+/- 1 nH內(nèi)。

控制線（SCK和CS#）的路由≤4 nH。

盡可能在數(shù)據(jù)I/O組內(nèi)的所有信號上保持相似的通道數(shù)。

將閃存線遠(yuǎn)離其他接口的高速信號，以避免串?dāng)_。

避免SCK的長電鍍線（會導(dǎo)致反射和影響時(shí)間）。

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