ISZ113N10NM5LFATMA1  OptiMOS? 5線性FET具有非常低的導通電阻和100V VDS。該產(chǎn)品組合包括11.3m?低導通電阻RDS(on)。此器件采用TDSON-8FL或S3O8封裝，工作溫度范圍為-55°C至175°C。

產(chǎn)品屬性：

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10A（Ta），63A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：11.3 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 36μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2300 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TSDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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