商品名稱：動態(tài)隨機存取存儲器DRAM
品牌：Micron
年份：23+
封裝：TFBGA-200
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：4000 件
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B是汽車DDR4 SDRAM，8n-refetch架構(gòu)與一個旨在每個時鐘周期在I/O引腳傳輸兩個數(shù)據(jù)字的接口相結(jié)合。
產(chǎn)品屬性
存儲器類型： 揮發(fā)性
存儲器格式： DRAM
技術： SDRAM - 移動 LPDDR4
存儲器大?。?16Gbit
存儲器組織： 512M x 32
存儲器接口： 平行
時鐘頻率： 2.133 GHz
寫入周期時間 - 字，頁： 18ns
訪問時間： 3.5 ns
電壓 - 電源： 1.06V ~ 1.17V
工作溫度： -25°C ~ 85°C (TC)
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 200-TFBGA
供應商 器件封裝： 200-TFBGA (10x14.5)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。電話咨詢：86-755-83294757
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