集成電路芯片 IPDQ60R022S7A N通道 600V CoolMOSTM SJ S7A功率器件，高壓功率MOSFET晶體管

型號：IPDQ60R022S7A
封裝：PG-HDSOP-22-1
類型：N通道MOSFET晶體管

產(chǎn)品規(guī)格
FET類型：N通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏極-源極電壓（Vdss）：600 V
電流-25°C時的連續(xù)漏極（Id）:24A（Tc）
柵極電荷（Qg）（最大）@Vgs: 150nC@12V
Vgs（最大）：±20V
輸入電容（Ciss）（最大）@Vds：5640 pF@300 V
功耗（最大）：416W（Tc）
工作溫度：-40°C~150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：PG-HDSOP-22-1，22 PowerBSOP模塊

IPDQ60R022S7A技術(shù)能夠以最小的占地面積實現(xiàn)一流的RD（開）。Kelvin源引腳提高了高電流下的開關(guān)性能。

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