UG3SC120009K4S碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件采用獨(dú)特的 "級(jí)聯(lián) "電路配置。該器件采用獨(dú)特的 "級(jí)聯(lián) "電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常關(guān)型 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT 的真正 "直接替代品"。該器件采用 TO-247-4L 封裝，具有超低柵極電荷和優(yōu)異的反向恢復(fù)特性、使其成為開關(guān)電感負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：11毫歐 @ 100A，12V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：234 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：8512 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：789W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

● 電動(dòng)汽車充電

● 光伏逆變器

● 開關(guān)電源

● 功率因數(shù)校正模塊

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

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