S25FL064LABMFV003是一種采用 65 nm 浮柵工 藝的 3.0 V、單電源閃存存儲器器件。

FL-L系列采用雙數據速率 (DDR) 讀取命令，用于傳送地址和在時鐘兩邊讀取數據的QIO和QPI。該架構采用頁面編程緩沖區，允許在一個操作中編程達256字節。該架構也提供單獨4KB扇區、32KB半塊、64KB塊或整個芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動或嵌入式應用所使用的高密度、靈活性和快速性能。

該閃存可為有限空間、信號連接和電源系統提供出色的存儲解決方案。此外，該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執行代碼 (XIP) 和存儲可重新編程數據。

特性

多I/O串行外設接口 (SPI)

時鐘極性和相位模式0和3

雙倍數據速率(DDR)選項

四外設接口(QPI)選項

擴展尋址：24位或32位地址選項

與S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足跡

與S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足跡

讀取

命令：正常、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O

模式：突發回環、連續(XIP)、QPI

串行閃存可發現參數(SFDP)，用于配置信息

程序架構

256字節頁編程緩沖器3.0V FL-L 閃存

程序暫停和恢復

擦除架構

統一4KB扇區擦除

統一32KB半塊擦除

統一64KB塊擦除

芯片擦除

擦除暫停和恢復

100,000次程序擦除周期

數據保留20年

典型技術

65nm浮柵技術

安全特性

狀態和配置寄存器保護

四個256字節安全區域，均位于主閃存陣列外部

傳統塊保護：塊范圍

單個和區域保護

單個塊鎖定：易失性單個扇區/塊

指針區域：非易失性扇區/塊范圍

電源鎖定、密碼或永久保護安全區域2和3以及指針區域

單電源電壓，帶CMOS I/O：2.7V至3.6V

溫度范圍：符合汽車AEC-Q100標準2級（-40°C至+105°C）

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質證明嗎？

  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

• 4.我可以通過公司網站進行詢價嗎？

  答：可以通過網站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時候能發貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據貨期估計商品的發貨時間，具體到貨時間根據商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發票嗎？

  答：可以為個人用戶開具普通發票，也可以為企業用戶開具增值稅專用發票。