S25FL064LABNFB010是一種采用 65 nm 浮柵工 藝的 3.0 V、單電源閃存存儲器器件。

特性

多I/O串行外設接口 (SPI)

時鐘極性和相位模式0和3

雙倍數據速率(DDR)選項

四外設接口(QPI)選項

擴展尋址：24位或32位地址選項

與S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足跡

與S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足跡

讀取

命令：正常、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O

模式：突發(fā)回環(huán)、連續(xù)(XIP)、QPI

串行閃存可發(fā)現參數(SFDP)，用于配置信息

程序架構

256字節(jié)頁編程緩沖器3.0V FL-L 閃存

程序暫停和恢復

擦除架構

統(tǒng)一4KB扇區(qū)擦除

統(tǒng)一32KB半塊擦除

統(tǒng)一64KB塊擦除

芯片擦除

擦除暫停和恢復

100,000次程序擦除周期

數據保留20年

典型技術

65nm浮柵技術

安全特性

狀態(tài)和配置寄存器保護

四個256字節(jié)安全區(qū)域，均位于主閃存陣列外部

傳統(tǒng)塊保護：塊范圍

單個和區(qū)域保護

單個塊鎖定：易失性單個扇區(qū)/塊

指針區(qū)域：非易失性扇區(qū)/塊范圍

電源鎖定、密碼或永久保護安全區(qū)域2和3以及指針區(qū)域

單電源電壓，帶CMOS I/O

2.7V至3.6V

溫度范圍

符合汽車AEC-Q100標準2級（-40°C至+105°C）

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