GS61004B-TR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。 GaN Systems 利用獲得專利的 Island Technology? 和 GaNPX? 封裝等業(yè)界領先的先進技術進行創(chuàng)新。Island Technology? 單元布局實現(xiàn)了大電流芯片和高產量。GaNPX? 封裝在小型封裝中實現(xiàn)了低電感和低熱阻。GS61004B-TR是一款底部冷卻晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。

特性

100V 增強型功率晶體管

底部冷卻配置

RDS(on) = 16 mΩ

IDS(max) = 38 A

超低 FOM Island Technology? 芯片

低電感 GaNPX? 封裝

簡單的柵極驅動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 V / +10 V）

開關頻率極高（> 10 MHz）

快速可控的下降和上升時間

反向電流能力

零反向恢復損耗

4.6 x 4.4 mm2 PCB 基底面小

符合 RoHS 3 (6+4) 標準

應用

企業(yè)和網絡電源

不間斷電源

工業(yè)電機驅動

太陽能

快速電池充電

D 類音頻放大器

智能家居

無線電力傳輸

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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