NTPF360N80S3Z是安森美半導(dǎo)體的高性能 MOSFET 系列，提供 800 V 擊穿電壓。針對反激式轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)進行了優(yōu)化，可降低開關(guān)損耗和外殼溫度，同時不影響 EMI。優(yōu)化設(shè)計，可在不影響 EMI 性能的情況下降低開關(guān)損耗和外殼溫度。此外，內(nèi)部齊納二極管顯著提高了 ESD 能力。能夠?qū)崿F(xiàn)更高效、更緊湊、更低溫和更堅固的應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：360毫歐 @ 6，5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3，8V @ 300μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：25.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1143 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：31W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-220FP

封裝/外殼：TO-220-3 整包

應(yīng)用

● 適配器/充電器

● LED 照明

● 輔助電源

● 音頻

● 工業(yè)電源

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