NVVR26A120M1WSS屬于EliteSiC功率模塊系列，適用于混動（HEV）汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用。這款模塊由兩個半橋配置的1200V SiC MOSFET組成。EliteSiC芯片組采用安森美的M1 SiC技術(shù)，提供高電流密度、強(qiáng)大的短路保護(hù)、高阻斷電壓和高工作溫度，為電動汽車主驅(qū)應(yīng)用帶來業(yè)界領(lǐng)先的性能。

特性

半橋單側(cè)散熱

超低的雜散電感

超低Rds_on

連續(xù)工作Tj_max = 175°C

車規(guī)級EliteSiC MOSFET芯片技術(shù)

裸芯燒結(jié)工藝

應(yīng)用

? 汽車主驅(qū)逆變器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。