NTMFS0D8N02P1ET1G MOSFET設計緊湊，具有出色的散熱性能和小尺寸，采用先進的SO-8FL 5mm x 6mm封裝。該單溝道MOSFET具有低QG/電容，可最大限度地降低驅動器損耗，并提供超低RDS(on) ，以最大限度地降低導通損耗。非常適合用于直流-直流轉換器、電源負載開關、電機控制、電池管理、筆記本電腦和臺式電腦、服務器、電信、計算和通信設備。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：55A（Ta），365A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.68 毫歐 @ 46A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：+16V，-12V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8600 pF @ 13 V

功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），139W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

應用

● 直流-直流轉換器

● 電源負載開關

● 筆記本電池管理

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