IRL100HS121功率MOSFET的設計符合提升系統效率的需求，同時可降低系統成本。相較于其他備選器件，這些器件的RDS(on)和品質因數 (RDS(on) x Qg) 更低。該產品采用新型硅技術，經優化可達到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應用包括計算領域中的服務器、數據通信和客戶端應用。它們還可用于開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機控制、微型太陽能逆變器和快速開關直流/直流轉換器應用。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：11A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 6.7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 10μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：5.6 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：440 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：11.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：6-PQFN（2x2）（DFN2020）

封裝/外殼：6-PowerVDFN

應用

● 無線充電

● 適配器

● 電信

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