IQD009N06NM5CG 是 60V OptiMOS? 功率 MOSFET 晶體管，采用 PQFN 5x6 mm2 源降封裝，具有業界領先的 RDS(on)。它具有 0.9 mΩ 的超低 RDS(on)，并具有出色的熱性能，便于功率損耗管理。

特性概述

尖端硅技術 OptiMOS? 60 V，具有出色的 FOM

源降封裝，具有更好的散熱性能和超低寄生效應

源降封裝，最大限度地提高了芯片/封裝比

采用中心柵基底面的源下式封裝

優勢

傳導損耗最小

降低電壓過沖

提高最大電流能力

快速開關

所需的器件并聯更少

中心柵極基底面實現了優化并行化

在 5x6 平方毫米印刷電路板面積上實現極低的 RDS(on)

熱性能提高，便于熱管理

最低封裝寄生，實現最佳開關性能

行業標準封裝

潛在應用

電池供電應用

電池供電工具

電池管理

低壓驅動

OM

源降封裝，具有更好的散熱性能和超低寄生電阻

最大化芯片/封裝比的源降封裝

采用中心柵基底面的源下式封裝

優勢

傳導損耗最小

降低電壓過沖

提高最大電流能力

快速開關

所需的器件并聯更少

中心柵極基底面實現了優化并行化

在 5x6 平方毫米印刷電路板面積上實現盡可能低的 RDS(on)

熱性能提高，便于熱管理

最低封裝寄生，實現最佳開關性能

行業標準封裝

潛在應用

SMPS

電信

服務器

電動工具

低壓驅動

電池管理

D 類音頻應用

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