商品名稱：IPTG111N20NM3FD
數據手冊：
IPTG111N20NM3FD.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerSMD
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
IPTG111N20NM3FD 是 OptiMOS? 3 功率 MOSFET 晶體管，采用 TOLG 封裝，具有更高的板載熱循環性能。
產品特性
同類最佳技術
高額定電流 >300 A
振鈴和電壓過沖小
與 D2PAK 7 引腳相比，減少了 60% 的電路板空間
鷗翼引線
優勢
高性能
系統可靠性高
效率高，電磁干擾低
優化電路板利用率
電路板熱循環性能高
潛在應用
電動摩托車
輕型電動汽車
電動工具
電池管理系統
型號
品牌
封裝
數量
描述
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EVAL-BGA125N6
EVAL-BGA125N6評估板設有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA)，設計用于增強可穿戴設備和移動蜂窩物聯網應用中L2/L5頻段的GNSS信號靈敏度。
EVAL-BGA123N6
EVAL-BGA123N6評估板設有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA) ，設計用于增強可穿戴設備和移動蜂窩物聯網應用中L2/L5頻段的GNSS信號靈敏度。
EVAL-BGA123L4
英飛凌科技EVAL-BGA123L4評估板設有板載超低功耗GNSS低噪聲放大器 (LNA)，設計用于可穿戴設備和移動蜂窩物聯網應用。
BGA725L6-BOARD
Infineon Technologies BGA725L6-BOARD評估板設計用于評估BGA725L6硅鍺低噪聲放大器（用于全球導航衛星系統 (GNSS)）的性能。
BGA824N6-BOARD
BGA824N6-BOARD評估板設計用于評估BGA824N6硅鍺低噪聲放大器（用于全球導航衛星系統 (GNSS)）的性能。電話咨詢：86-755-83294757
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