IPDQ60R010S7 是 600V CoolMOS? S7 SJ MOSFET 晶體管。它能為低頻開關應用帶來最佳性價比。

產品屬性

FET 類型 N 通道  

技術 MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 600 V  

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 50A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 12V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 10 毫歐 @ 50A，12V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 3.08mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 318 nC @ 12 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 11987 pF @ 300 V  

功率耗散（最大值） 694W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 PG-HDSOP-22-1  

封裝/外殼 22-PowerBSOP 模塊 

潛在應用

固態繼電器和斷路器

高功率/高性能應用中的線路整流，如計算機、電信、UPS 和太陽能

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