IPD80R600P7 MOSFET 的性價比屬同類最佳，簡單易用，能夠應對各種應用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開發(fā)用于反激式低功耗SMPS應用，包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設計用于小功率應用，而且還用于大功率SMPS應用，如太陽能逆變器、服務器、電信和電動汽車充電站。P7 MOSFET經(jīng)過徹底優(yōu)化，用于硬開關和軟開關拓撲結構。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：600 毫歐 @ 3.4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 170μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：570 pF @ 500 V

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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