S70KL1282DPBHB033 是帶有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS 接口主控器（主機(jī)）不主動(dòng)讀寫存儲器時(shí)，器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列的刷新操作。由于主機(jī)無需管理任何刷新操作，因此在主機(jī)看來，DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲器，無需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲器更準(zhǔn)確的描述是偽靜態(tài) RAM（PSRAM）。

特點(diǎn)

HYPERBUS 接口

支持 1.8V / 3.0V 接口

單端時(shí)鐘 - 11 個(gè)總線信號

可選差分時(shí)鐘 - 12 個(gè)總線信號

8 位數(shù)據(jù)總線

硬件復(fù)位

雙向讀寫數(shù)據(jù)選通

在所有事務(wù)開始時(shí)輸出，指示刷新延遲

在讀取事務(wù)期間作為讀數(shù)據(jù)選通輸出

在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)屏蔽輸入

可選的 DDR 中心對齊讀取選通

在讀取事務(wù)期間，RWDS 由第二個(gè)時(shí)鐘偏移，與 CK 相移

相移時(shí)鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動(dòng) RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿

最大時(shí)鐘速率為 200MHz

DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400MBps

可配置的突發(fā)特性

封裝突發(fā)長度

混合選項(xiàng)--64Mb 上的一個(gè)包裹突發(fā)后是線性突發(fā)。不支持跨芯片邊界的線性突發(fā)。

可配置的輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。