IPW65R190CFD7A MOSFET可滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用的要求，例如車載充電器、HV-LV直流-直流轉(zhuǎn)換器和輔助電源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙輻射穩(wěn)健性，因此可以在可靠性與前幾代產(chǎn)品和其他市場(chǎng)產(chǎn)品相當(dāng)?shù)那闆r下耐受更高的電池電壓。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可確保硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)涞母咝?，特別是在輕負(fù)載條件下。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：190 毫歐 @ 6.4A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 320μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1291 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：77W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

等級(jí)：汽車級(jí)

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應(yīng)用

● 車載充電器

● HV-LV直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 輔助電源

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