商品名稱：FF6MR12KM1HP
數(shù)據(jù)手冊：
FF6MR12KM1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
FF6MR12KM1HP 62 mm 1200 V、5.5 mΩ 半橋模塊采用 CoolSiC? MOSFET 技術，采用眾所周知的 62mm 外殼，結合 M1H 芯片技術和預涂熱界面材料 (TIM)。
特征
● 高電流密度
● 開關損耗低
● 卓越的柵極氧化物可靠性
● 最高的防潮性能
● 堅固的集成體二極管
● 抗宇宙射線能力強
● 高速開關模塊
● 對稱模塊設計
● 標準結構技術
應用
● 儲能系統(tǒng)
● 電動汽車充電
● 光伏發(fā)電
● 不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A：FM4 S6E2H系列MCU——160MHz，32位單核 Arm Cortex-M4微控制器（MCU），F(xiàn)BGA-121型號：S6E2H46G0AGB3000A封裝：FBGA-121類型：32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性：核心處理器：ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格：32 位單核速度：160MHz連接能力：C…
2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標準MOSFET、超結MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側和低壓側柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側電源開關，采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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