NTH4L060N090SC1采用的技術(shù)與硅器件相比，可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。而且，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸可確保低電容和低柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢包括高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：900 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：46A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：43 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：87 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1770 pF @ 450 V

功率耗散（最大值）：221W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

應(yīng)用

● 不間斷電源

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 升壓型逆變器

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。