PMDXB600UNE 雙N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管（FET），采用無鉛超小型DFN1010B-6（SOT1216）表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，使用溝槽MOSFET技術(shù)。

產(chǎn)品規(guī)格

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

配置： 2 N-通道（雙）  

FET 功能： -  

漏源電壓（Vdss）： 20V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 600mA  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 620 毫歐 @ 600mA，4.5V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 950mV @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC @ 4.5V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 21.3pF @ 10V  

功率 - 最大值： 380mW  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 6-XFDFN 裸露焊盤  

供應(yīng)商器件封裝： DFN1010B-6

特征和優(yōu)勢

溝槽式MOSFET技術(shù)

無引線超小超薄SMD塑料封裝：1.1 × 1.0 × 0.37 mm

裸露的漏極墊，具有良好的熱傳導(dǎo)性

靜電放電（ESD）保護 > 1 kV HBM

漏極-源極導(dǎo)通電阻 RDSon = 470 mΩ

應(yīng)用

繼電器驅(qū)動器

高速線路驅(qū)動器

低側(cè)負(fù)載開關(guān)

開關(guān)電路

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