2ED2182S06F 是一款半橋高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器，具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。浮動通道可用于驅動 N 溝道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或高壓側配置的 IGBT，其工作電壓最高可達 650 V。

產(chǎn)品特性

獨特的英飛凌薄膜絕緣體上硅（SOI）技術 

負 VS 瞬態(tài)抗擾度為 100 V 

浮動通道設計用于自舉操作 

工作電壓（VS 節(jié)點）高達 + 650 V 

最大自舉電壓（VB 節(jié)點）達 + 675 V 

集成超快速、低電阻自舉二極管 

VS 引腳上的邏輯工作電壓高達 -11 V

輸入端負壓容差為 -5 V

雙通道獨立欠壓鎖定

帶滯后的施密特觸發(fā)器輸入

兼容 3.3 V、5 V 和 15 V 輸入邏輯

最大電源電壓為 25 V

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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