RGT00TS65DGC13 650V場截止溝槽式IGBT是節(jié)能、高效的IGBT，具有較低的集電極和發(fā)射極飽和電壓、耐受時間的短路以及內(nèi)置的快速軟恢復(fù)FRD。該產(chǎn)品廣泛用于各種高電壓和高電流應(yīng)用。

規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：85 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A

功率 - 最大值：277 W

開關(guān)能量：-

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：94 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：42ns/137ns

測試條件：400V，50A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間 (trr)：54 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-247G

基本產(chǎn)品編號：RGT00

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