VS-GT75YF120NT 1200V IGBT四單元模塊是溝槽式柵極場終止型IGBT，具有方形RBSOA。該模塊具有HEXFRED?低Qrr、低開關能量和正VCE(on) 溫度系數(shù)。該器件還采用銅基板和低雜散電感設計，設計和批準用于工業(yè)市場。

規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：全橋

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：118 A

功率 - 最大值：431 W

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，75A

電流 - 集電極截止（最大值）：100 μA

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

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