M95M02-DWMN3TP/K是 2-Mbit 串行 EEPROM 汽車級器件，工作溫度高達 125°C。M95M02-DWMN3TP/K符合汽車標準 AEC-Q100 0 級規(guī)定的高可靠性要求。

該器件通過簡單的串行 SPI 兼容接口訪問，最高運行頻率可達 10 MHz。

存儲器陣列基于先進的真正 EEPROM 技術（電可擦除可編程存儲器）。M95M02-DWMN3TP/K是字節(jié)可更改存儲器（262144 × 8 位），分為 1024 頁，每頁 256 個字節(jié)，其中的嵌入式糾錯碼邏輯大大提高了數(shù)據(jù)完整性。

M95M02-DWMN3TP/K提供一個額外的識別頁（256 字節(jié)），可讀取 ST 器件標識。該頁面還可用于存儲敏感的應用參數(shù)，這些參數(shù)可在只讀模式下永久鎖定。

所有功能

與串行外設接口 (SPI) 總線兼容

內(nèi)存陣列

2 Mbit（256 K 字節(jié)）EEPROM

頁大?。?56 字節(jié)

塊寫保護：1/4、1/2 或整個存儲器

附加寫入鎖定頁（識別頁）

擴展的溫度和電壓范圍

最高 125 °C（VCC 為 2.5 V 至 5.5 V）

時鐘頻率

105°C 時，VCC ≥ 4.5 V 時為 10 MHz

VCC≥ 2.5 V@125°C 時為 5 MHz

用于噪聲過濾的施密特觸發(fā)器輸入

寫入周期時間短

字節(jié)寫入 5 毫秒內(nèi)

頁寫入 5 毫秒內(nèi)

寫入周期耐久性

25 °C 時 400 萬次寫入循環(huán)

120 萬次寫入循環(huán)（85 °C

125 °C 時 100 k 次寫入循環(huán)

數(shù)據(jù)保存

25 °C 時 100 年

靜電放電 

25 °C 下 100 年

靜電放電保護（人體模型）：3000 V

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