PSMN8R0-40HLX N溝道MOSFET是一款雙邏輯電平N溝道MOSFET，采用LFPAK56D（雙電源SO8）封裝。該MOSFET采用 TrenchMOS技術。該器件達到重復雪崩等級，可耐受175°C溫度。

產(chǎn)品屬性

技術：MOSFET（金屬氧化物）

配置：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Ta）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9.4 毫歐 @ 10A，5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：15.7nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2110pF @ 25V

功率 - 最大值：53W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56

供應商器件封裝：LFPAK56D

應用

● 無刷直流電機控制

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 高性能同步整流

● 高效服務器電源

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