PSMN1R8-80SSFJ建議用于高效率開關和高可靠性應用。NextPower MOSFET具有50%低RDS(on) 和強大的抗雪崩能量。這些器件非常適用于電源、電信、工業(yè)設計、USB-PD Type-C充電器和適配器，以及48V直流-直流適配器。該器件具有低體二極管損耗，Qrr 低至50納庫侖 (nC)。這樣可實現較低的反向恢復電流 (IRR)，較低的電壓尖峰 (Vpeak)和較低的振鈴，從而進一步優(yōu)化死區(qū)時間。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：270A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：222 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：15319 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：341W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK88（SOT1235）

封裝/外殼：SOT-1235

應用

● AC-DC 和 DC-DC 中的同步整流器

● DC-DC 中的原邊開關

● 無刷直流電機控制

● 全橋和半橋應用

● 電池保護

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