IPT111N20NFD N 溝道具有正常電平，是快速二極管（FD），降低 Qrr，針對高換向魯棒性進行了優(yōu)化，具有超低導通電阻 RDS（導通），且有175°C 工作溫度，采用無鉛鍍層；符合 RoHS 標準，通過 JEDEC1 目標應用認證。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：96A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：11.1 毫歐 @ 96A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 267μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：87 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7000 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HSOF-8-1

封裝/外殼：8-PowerSFN

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