IQE022N06LM5CG的設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù)，經(jīng)優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應(yīng)用包括計算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Ta），151A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.2 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 48μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：53 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4420 pF @ 30 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TTFN-9-3

封裝/外殼：9-PowerTDFN

應(yīng)用

● 臺式機和服務(wù)器r

● 單相和多相PoL

● 筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調(diào)節(jié)

● 高功率密度電壓調(diào)節(jié)器

● O形環(huán)

● 電子保險絲

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