商品名稱：NVMFD024N06CT1G
數(shù)據(jù)手冊：
NVMFD024N06CT1G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-DFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NVMFD024N06CT1G 是 60V、22.6mΩ、24A 功率 MOSFET N 溝道晶體管，雙 SO8FL。汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可濕側面選件。
產(chǎn)品特性
小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設計
低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低
低 QG 和電容，將驅動器損耗降至最低
NVMFWD024N06C - 用于增強光學檢測的可潤濕側翼選項
通過 AEC-Q101 認證和 PPAP 認證
典型應用
電動工具、電池驅動真空吸塵器
無人機/無人駕駛飛機、材料處理
BMS/ 存儲、家庭自動化
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
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FGY4L75T120SWD
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LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢：86-755-83294757
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