UCC21759QDWQ1適用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和內(nèi)部鉗位的汽車類 3.0kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。

特性

? 3kVRMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

? 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)

? 驅(qū)動(dòng)高達(dá) 990Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT

? 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 (VDD-VEE)

? 高峰值驅(qū)動(dòng)電流和高 CMTI

? ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出

? 150V/ns 最小 CMTI

? 具有 200ns 快速響應(yīng)時(shí)間的 DESAT 保護(hù)

? 4A 內(nèi)部有源米勒鉗位

? 在故障條件下提供 400mA 軟關(guān)斷

? 具有 PWM 輸出的隔離式模擬傳感器

– 采用 NTC、PTC 或熱敏二極管的溫度感應(yīng)

– 高電壓直流鏈路或相電壓

? 過(guò)流警報(bào) FLT 和通過(guò) RST/EN 重置

? 針對(duì) RST/EN 的快速啟用/禁用響應(yīng)

? 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖

? RDY 上的 12V VDD UVLO（具有電源正常指示功能）

? 具有高達(dá) 5V 過(guò)沖/欠沖瞬態(tài)電壓抗擾度的輸入/輸出

? 130 ns（最大）傳播延遲和 30 ns（最大）脈沖/器件間偏移

? SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙 > 8mm

? 工作結(jié)溫范圍：-40°C 至 +150°C

? 安全相關(guān)認(rèn)證（計(jì)劃）：

– 符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 標(biāo)準(zhǔn)的6000VPK 基礎(chǔ)型隔離

– 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長(zhǎng)達(dá) 1 分鐘的 3kVRMS 隔離

應(yīng)用

? 適用于 EV 的牽引逆變器

? 車載充電器和充電樁

? 用于 HEV/EV 的直流/直流轉(zhuǎn)換器

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