LM74801QDRRRQ1理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET以模擬理想二極管整流器，具有電源通路開/關(guān)控制和過壓保護功能。寬3 V 至 65 V 的寬輸入電源，可保護和控制 12 V 和 24 V 的汽車電子產(chǎn)品。12 V 和 24 V 汽車電池供電的ECU 的保護和控制。該器件可承受并保護負載。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第一個取代肖特基二極管的 MOSFET，以實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持。

產(chǎn)品屬性

類型：N+1 ORing 控制器

FET 類型：N 通道

比率 - 輸入:輸出：1：1

內(nèi)部開關(guān)：無

延遲時間 - 開啟：2.6 μs

延遲時間 - 關(guān)閉：500 ns

電流 - 輸出（最大值）：5A

電流 - 供電：413 μA

電壓 - 供電：3V ~ 65V

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝，可潤濕側(cè)翼

封裝/外殼：12-WFDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：12-WSON（3x3）

應用

● 汽車電池保護

● ADAS 域控制器

● 攝像頭 ECU

● 主機

● USB HUB

● 有源 ORing 冗余電源

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